集微网消息，7月1日，赛微电子在互动平台表示，公司旗下北京代工制造的某款BAW滤波器(适用于5G等高频应用场景)于近期通过了客户验证，经过对该批次BAW滤波器进行频段抑制、带内插损、电压驻波比等性能测试及高加速温湿度应力、高低温贮存寿命、机械及跌落冲击等可靠性验证，性能、良率均达到或优于设计指标要求，与国际射频巨头厂商的同类别产品指标相当。
据赛微电子官网信息显示，6月12日，该客户已同步签署试产订单，北京FAB3启动首批BAW滤波器8英寸晶圆的小批量试生产。该客户是一家本土射频前端MEMS滤波器芯片设计公司，核心团队具备丰富经验，拥有核心知识产权，致力于实现BAW滤波器的国产替代及广泛应用。
随着信息技术的进一步发展，高速化信息处理、高频化信号传输成为数字电路发展的新特征，伴随着不断增加的信息量及信息传输效率需求，终端设备也朝着高频化迅速过渡。在高频率信号状态下，因材料的趋肤效应、电介质极化等因素，绝缘材料的电隔离度大大下降，高频通信终端里各射频、微波单元间的信号传输路径、多传输线路的交错等造成了严重的电磁干扰、噪音等问题。
传统工艺制造的射频微波器件难以在高频通信中得到有效地应用（主要是难以解决高隔离度要求与小尺寸和高集成度的矛盾），而采用MEMS制造工艺能够解决传统工艺的不足，通过特殊的精细结构来有效控制电磁波信号的各种传输损耗，具有高频状态低损耗、低噪音、散热能力良好的特点，使得以新MEMS工艺制造的高频通信器件能够广泛应用于卫星接收、基站、手机、导航、运输、仓储等各类领域。
目前，国内绝大部分射频前端市场被Skyworks、Qorvo、Broadcom(Avago)、村田MURATA及RF360(Qualcomm旗下)等国际射频巨头所垄断，国产器件自给率较低；国内众多厂商(包括设计公司和代工厂)均在持续努力。
（校对/xiao wei）