三星已经开始使用其3nm工艺节点大规模生产芯片 ，这是其最先进的芯片生产技术，允许较小的芯片封装更多的功率。

三星周四表示，它已经开始使用其3纳米（nm）工艺节点大规模生产芯片，这是其迄今为止用于合同芯片生产的最先进的技术。

这家韩国科技巨头表示，与5nm工艺相比，其3nm工艺将功耗降低了45%，性能提高了23%，表面积减少了16%。

三星的3nm工艺节点使用其栅极全能（GAA）晶体管架构，该公司称为多桥通道FET（MBCFET），它将更宽的通道封装在栅极中，以便电流流动，同时与以前的FinFET晶体管架构相比降低了电压水平。

正如GAA这个名字所暗示的那样，通道完全被栅极包围，并且与仅使用三侧的FinFET相比，利用通道的所有四个侧面允许更多的驱动电流通过栅极。

这家韩国科技巨头还吹捧其3nm工艺节点提供了灵活的设计，使其能够调整通道宽度以最好地满足客户的需求。三星表示，后续的第二代3nm工艺节点也在开发中，其功耗，性能和表面积得到了改善。

三星表示，目前通过其第一个3nm工艺节点制造的芯片用于高性能，低功耗计算应用，同时计划将该节点扩展到移动处理器。这家韩国科技巨头没有提到它目前正在为哪个客户批量生产3nm芯片。

三星是世界上最大的内存芯片制造商和第二大合同芯片制造商或代工厂。它正在与世界上最大的代工厂台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）竞争，该公司正准备使用自己的3nm工艺节点开始批量生产，首先将更先进的工艺节点商业化。

这对“情侣”之间相爱相杀的关键是如何为各自的3nm芯片赢得更多其他客户订单，而不是来自高通等大客户的更多订单。

上个月，三星宣布计划在未来五年内花费3550亿美元用于所谓的战略业务，其中包括半导体。去年，该公司宣布将斥资170亿美元在德克萨斯州泰勒建造一家新的芯片工厂。