在现在的芯片制造赛道上，台积电和三星的技术要相对领先一点，尤其是在3nm的技术至上，不过在他们之后还有一个英特尔也在奋力直追，下面就来看看英特尔现在的发展如何。
英特尔制程技术目前较台积电、三星电子落后，目前Intel 7（原10纳米）已进入量产，下一代的Intel 4（原7纳米），预计于今年下半年量产。
相比于三星、台积电，英特尔就更是雄心勃勃，各方面消息表明其将在5nm节点直接放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。几年前，英特尔就谈到使用2023年以来的第一批GAA晶体管。
同时，英特尔还致力于堆叠晶体管。在高级封装领域，英特尔一直处于领先地位。
在IEEE IEDM 2019会议上，英特尔介绍了在硅FinFET上堆叠锗纳米带晶体管及其将取代Foveros的全方向互连的研究。
英特尔高级研究员兼组件研究总监Robert Chau认为，整体缩放和系统缩放是未来十年内将推动摩尔定律的两个领域。前者是由经典的晶体管缩放和创新驱动的，后者是由封装和互连的进步驱动的。
Intel 4（相当于台积电4纳米）是英特尔首度使用EUV（极紫外光）光刻机的制程，也是英特尔在先进制程延宕多年后，终于奋力赶上，加入先进制程的第一梯队。
继Intel 4后，英特尔宣称将于2023年开始量产Intel 3 （相当于台积电3纳米），如果能实现，则仅稍落后于台积电的3纳米量产进度。
2024年上半年英特尔将量产Intel 20A （相当于台积电2纳米），这已经超越台积电的进度（台积电预定2025年量产2纳米制程）。
你觉得英特尔会成功吗？