今日热点
1. 为实现超大容量SSD，铠侠正试验7bit/cell 3D NAND
2. 三星惊传通知所有事业群「暂停采购」
3. SK海力士与Lam Research合作提升DRAM生产效率
4. 台积电正式公布2nm制程，预计2025年量产
5. 百企联名，美科技业呼吁国会尽速通过520亿美元补助案
01
为实现超大容量SSD，铠侠正试验7bit/cell 3D NAND
据外媒tom’shardware报道，近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如，要存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)，但使用6位，该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元存储7位则需要保持128个电压状态(2^7)。
铠侠在2022年国际存储研讨会 (IMW 2022) 上展示了描述其成就的论文，铠侠使用通过外延生长构建的单晶硅通道来达成7 bpc的存储，单晶硅的电阻比多晶硅低，因此更容易记录此类单元。报告称，与传统晶体管相比，具有单晶硅单元晶体管的亚阈值斜率更陡，而泄漏电流和读取噪声更低。这种NAND Flash单元现在还无法在商业实现，为了记录和读取，铠侠的科学家们不得不在实验室中完成试验，将芯片浸入液氮(-196°C)以稳定材料，降低电压要求。
在实验室中构建定制晶体管只是超高密度NAND Flash挑战的一半。首先，研究人员必须开发和使用具有适合处理128种电压状态的自定义编码方案的专用SSD控制器，能够准确处理128个电压电平的控制器可能与微处理器一样复杂且价格昂贵。
因此，主要问题是使用昂贵且复杂的SSD控制器将3D NAND记录密度从5 bpc增加到7 bpc是否有意义。虽然最好的SSD往往成本很高，但过于先进的控制器可能变得过于昂贵，并消除它们的所有优势。西部数据认为，即使在2025年之后，哪怕是5 bpc的3D NAND也几乎没有意义。但是，铠侠现在展示了7 bpc的物理可能性，甚至谈到了最终可以提升至8 bpc。
02
三星惊传通知所有事业群「暂停采购」
据台媒《财经新报》报道，三星影像显示事业部（VD）先前在第二季大砍电视面板订单，同时下修今年出货目标，引发市场关注。如今业界再传出消息，三星通知集团所有事业群暂停采购，并要求盘点库存状况。
根据业界消息指出，三星昨（16）日下令要求所有事业群暂停采购，包括面板、手机、存储事业群，并回报采购库存状况，因此昨天几乎所有面板厂都已接到三星暂停采购的通知。
在此之前，三星就已传出大砍第二季电视面板订单，至少减200~300万片，初估第三季、第四季市况都会「旺季不旺」。业内相关人士透露，目前三星面板库存水位高达16周，而北美和欧洲的渠道库存水位也来到高点。 以三星目前采购的量来看，6月因目前暂停采购政策而无法出货的量可能至少200万片。
事实上，除了三星外，LG电子先前也已经大砍电视面板订单，中国3大面板巨头（京东方、华星光电、惠科）第三季的电视面板产能预计将较原计划减少15.8%，与第二季相比，则是减少2%。 而三星传出暂停采购后，业界也密切关注LG电子的动向。
03
SK海力士与Lam Research合作提升DRAM生产效率
据韩媒BusinessKorea报道，半导体设备厂商Lam Research正在与SK海力士合作通过提升干式光刻胶技术提升EUV曝光效率从而提高DRAM生产效率。
此前，Lam Research与ASML和比利时半导体研究所Imec合作开发了干式光刻胶技术。近日，Lam Research宣布将向SK海力士提供干式光刻胶底层和干式显影工艺设备。
Lam Research等开发的干式光刻胶通过诸如化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)之类的操作形成薄膜。该技术有望提高EUV工艺分辨率并降低成本。
据Lam Research称，由于干式光刻胶技术使用的原材料比湿法光刻胶少5到10倍，并且可以减少照射的光量，因此很容易降低成本。
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台积电正式公布2nm制程，预计2025年量产
6月17日，台积电在 2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息，N3工艺将于2022年内量产，后续还有N3E、N3P、N3X等，N2（2nm）工艺将于2025年量产。
N2方面，台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非现在的FinFET（鳍式场效应晶体管）。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下，N2比N3E速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不过，与N3E相比，N2仅将芯片密度提高了10%左右。
N2工艺带来了两项重要的创新：纳米片晶体管（台积电称之为GAAFET）和backside power rail。GAA纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了泄漏；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，台积电的N2使用backside power rail，台积电认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。
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百企联名，美科技业呼吁国会尽快通过520亿美元补助案
据台媒《经济日报》报道，美国半导体协会成员合计107家科技大厂，15日联名发信给美国国会，共同发声呼吁520亿美元的补助案尽速过关。该信件除了英特尔、英伟达、AMD与三星等大企业最高主管，台积电董事长刘德音、联发科董事长蔡明介也共同署名支持。
美国国会先前发起520亿美元半导体补助法案，迟迟未有下文，美国半导体协会（SIA）成员联名发信呼吁美国国会重视该政策。依据公开文件，该信件盼望总额520亿美元的相关补助政策早日过关，以促进美国半导体制造和研发。