在现在的技术公司赛道上，3nm的锣鼓都等着有第一个人去敲响它，三星台积电和英特尔都是这条赛道上的，只不过他们三儿表现的形式不同。
在先进制程上，台积电毫无疑问是龙头。无论是已成熟量产的7nm，还是走向量产的5nm，台积电都处于全球领先的地位。
早在2017年3月，台积电第一代7nm芯片的良品率就已达到76%，而今，这一数字早已提升至90%以上。
在3nm节点上，台积电进行了大量投资。2019年，它宣布已投资195亿美元建设3nm工厂，并在2020年正式开始建设。但是，技术细节仍在保密中。
而相比于台积电秘密地进行3nm研发，三星显得高调些。
在2019年的日本SFF会议上，三星宣布了3nm工艺，将采用GAA环绕栅晶体管技术，而放弃采用FinFET晶体管。
与目前的7nm工艺相比，三星3nm工艺可将核心面积减少45％，功耗降低50％，性能提高35％。并将于2021年提供首批样品，2022年量产。
而现在三星真的宣布了开始量产，一家中国矿机芯片公司将成为三星电子3nm制程的首位客户，高通也预定了三星电子的3nm制程。
相比于GAA技术的纳米线和纳米片通道，三星电子采用的MBCFET技术具有更宽的通道，具备更高的性能和更好的能效表现。
和5nm制程相比，三星电子的第一代3nm制程能够降低45%的功耗，提升了23%的性能，并减小16%的面积。
而第二代3nm制程将有进一步的优化，将降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面积。
对此，你怎么看？